سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ

سلکانکاربائڈ سبسٹریٹ:

a خام مال: SiC قدرتی طور پر تیار نہیں ہوتا ہے لیکن اسے سلیکا، کوک اور تھوڑی مقدار میں نمک کے ذریعے ملایا جاتا ہے، اور گریفائٹ فرنس کو 2000 ° C سے زیادہ گرم کیا جاتا ہے، اور A-SIC پیدا ہوتا ہے۔ احتیاطی تدابیر، ایک گہرے سبز بلاک کی شکل والی پولی کرسٹل لائن اسمبلی حاصل کی جا سکتی ہے۔

ب مینوفیکچرنگ کا طریقہ: SiC کی کیمیائی استحکام اور تھرمل استحکام بہت اچھا ہے۔ عام طریقوں کا استعمال کرتے ہوئے کثافت حاصل کرنا مشکل ہے، اس لیے ضروری ہے کہ ایک sintered ایڈ شامل کریں اور فائر کرنے کے لیے خاص طریقے استعمال کریں، عام طور پر ویکیوم تھرمل دبانے کے طریقے سے؛

c SiC سبسٹریٹ کی خصوصیات: سب سے مخصوص نوعیت یہ ہے کہ تھرمل ڈفیوژن گتانک خاص طور پر بڑا ہے، یہاں تک کہ تانبے سے بھی زیادہ تانبے کا، اور اس کا تھرمل ایکسپینشن گتانک Si کے زیادہ قریب ہے۔ بلاشبہ، کچھ کوتاہیاں ہیں، نسبتاً، ڈائی الیکٹرک مستقل زیادہ ہے، اور وولٹیج کو برداشت کرنے والی موصلیت بدتر ہے۔

D. درخواست: سلکان کے لیےکاربائڈ سبسٹریٹس، طویل توسیع، کم وولٹیج سرکٹس اور VLSI ہائی کولنگ پیکجوں کا ایک سے زیادہ استعمال، جیسے کہ تیز رفتار، ہائی انٹیگریشن لاجک LSI ٹیپ، اور سپر بڑے کمپیوٹرز، لائٹ کمیونیکیشن کریڈٹ لیزر ڈائیوڈ سبسٹریٹ ایپلی کیشن وغیرہ۔

کیس سبسٹریٹ (BE0):

اس کی تھرمل چالکتا A1203 سے دوگنا سے زیادہ ہے، جو کہ ہائی پاور سرکٹس کے لیے موزوں ہے، اور اس کا ڈائی الیکٹرک مستقل کم ہے اور اسے ہائی فریکوئنسی سرکٹس کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔ BE0 سبسٹریٹ بنیادی طور پر خشک دباؤ کے طریقے سے بنا ہے، اور MgO اور A1203 کی ٹریس رقم کا استعمال کرتے ہوئے بھی تیار کیا جا سکتا ہے، جیسے کہ ٹینڈم طریقہ۔ BE0 پاؤڈر کے زہریلے ہونے کی وجہ سے، ایک ماحولیاتی مسئلہ ہے، اور BE0 سبسٹریٹ کی جاپان میں اجازت نہیں ہے، اسے صرف امریکہ سے درآمد کیا جا سکتا ہے۔