سلکان نائٹرائڈ پلیٹ اور اس کی تیاری کا طریقہ

پیٹنٹ کا نام:سلکان نائٹرائڈ سبسٹریٹاور اس کی مینوفیکچرنگ کا طریقہ، اور سلکان نائٹرائڈ سرکٹ بورڈ اور سیمی کنڈکٹر ماڈیول کی پیداوار کا طریقہ سلکان نائٹرائڈ پلیٹ کا استعمال کرتے ہوئے
تکنیکی میدان:
موجودہ ایجاد میں شامل ہے۔سلکان نائٹرائڈ سبسٹریٹاور اس کی تیاری کے طریقے۔ اس کے علاوہ، ایجاد میں سیلیکون نائٹرائڈ سرکٹ سبسٹریٹس اور سیمی کنڈکٹر ماڈیولز کا استعمال شامل ہے۔سلکان نائٹرائڈ سبسٹریٹ.
پس منظر کی تکنیک:
حالیہ برسوں میں، الیکٹرک گاڑیوں کے کھیتوں اور دیگر شعبوں میں، پاور سیمی کنڈکٹر ماڈیول (پاور سیمی کنڈکٹر ماڈیول) (IGBT، پاور MOSFET، وغیرہ) جو ہائی وولٹیج اور بڑے کرنٹ کے ساتھ کام کر سکتے ہیں۔ پاور سیمی کنڈکٹر ماڈیول میں استعمال ہونے والے سبسٹریٹ کے لیے، انسولیٹنگ سیرامک ​​سبسٹریٹ کی ایک سطح کو دھاتی سرکٹ بورڈ کے ساتھ جوڑنے کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے، اور دوسری سطح پر دھاتی ریڈی ایٹر پلیٹ کے ساتھ سیرامک ​​سرکٹ سبسٹریٹ استعمال کیا جا سکتا ہے۔ اس کے علاوہ، دھاتی سرکٹ بورڈ پر سیمی کنڈکٹر عناصر اور اسی طرح. میٹل سرکٹ بورڈز اور میٹل ہیٹ سنک کے ساتھ مذکورہ بالا موصل سیرامک ​​سبسٹریٹس کا امتزاج، جیسے کہ نام نہاد تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی تانبے پر مبنی کاپر قانونی طور پر. اس طرح کے پاور سیمی کنڈکٹر ماڈیول کے لیے، گرمی کی کھپت بڑی دھاروں کے ذریعے بہنے سے زیادہ ہوتی ہے۔ تاہم، چونکہ مذکورہ بالا موصل سیرامک ​​سبسٹریٹ تھرمل چالکتا کے لحاظ سے کم ہے، یہ ایک ایسا عنصر بن سکتا ہے جو سیمی کنڈکٹر اجزاء کی گرمی کی کھپت میں رکاوٹ بنتا ہے۔ اس کے علاوہ، تھرمل تناؤ پیدا کرنے کی وجہ سیرامک ​​سبسٹریٹ اور دھاتی سرکٹ بورڈ اور دھاتی ہیٹ سنک پلیٹ کے درمیان تھرمل توسیع کی شرح ہوتی ہے۔ نتیجے کے طور پر، غیر موصل سیرامک ​​سبسٹریٹ کریکنگ اور تباہی، یا دھاتی سرکٹ بورڈ یا دھاتی گرمی کی کھپت بورڈ کو سیرامک ​​سبسٹریٹ کی موصلیت سے چھین لیا جاتا ہے۔